第三代半導體 - 中國與國際大廠有多少差距? - 中原博立
第三代半導體 – 中國與國際大廠有多少差距?

第三代半導體 – 中國與國際大廠有多少差距?

第三代半導體碳化矽(SiC)正在經歷快速應用的拐點,SiC MOSFET方案主要的應用是在電動車上,這是由於車的單價高,因此對成本的要求沒有那麼嚴控,同時性能提升的價值相對高。今年的功率晶片資源非常緊張,目前還在產能瓶頸,各大國際巨頭紛紛大額投入擴產。目前中國國內採用碳化矽方案的有Tesla Model 3, 比亞迪漢系列,蔚來的ET7和小鵬G9。隨著產能的擴大,基板降本和晶片良率的提升,採用碳化矽的收益會越來越高,根據比亞迪專家表示,他們覺得在兩三年後碳化矽會往30萬甚至20以下的車輪普及應用。

SiC產業鏈中最高價值的環節是基板(襯底/Substrate),傳統的矽基晶片其基板的價值僅佔整個晶片價值鏈的10%,但碳化矽基板的價值提高到50%,碳化矽基板不但貴,生產工藝還複雜,底板的缺陷會影響最終器件的質量,目前大多數企業都是從Wolfspeed(WOLF)等國際廠商供應商採購底板,龍頭Wolfspeed在基板供應商的市佔率達到60%,可見掌握基板的技術是整個環節的關鍵和提高核心競爭力的重要性。基板的差距就目前而言,中國國內是剛從4吋的基板切換到6吋,國產6吋基板出來沒多久,在電控級別應用還沒經過大批量的驗證,因此在良率和可靠性方面與國際的廠商還是有差距,國際大廠如Wolfspeed等的6吋生產已經成熟,並且在今年開了8吋的自動化生產線。

國際大廠的起步早,在SiC發展上積極佈局,除了推動碳化矽材料的市場滲透率加速,還在加速搶佔市場份額。雖然Wolfspeed已經可以生產8吋的基板,不過目前沒有8吋的外延和SiC MOSFET,根據羅姆半導體(Rohm)總裁最新7月表示,會最快在2023年開始量產,因此預料還需要1-2年開發量產時間,所以目前6吋的基板仍然是主流,短期內還形成不了碾壓國內的對手。

傅可怡,持證監會持牌人士,博立研究團隊/中原資產管理分析員
執筆之時,博立客戶持有沒有持有上述股票

中原博立

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